| Titre : | Etude des composés semi-conducteurs ternaires à structure chalcopyrite |
| Auteurs : | Hannani, Ahmed, Auteur ; Rebbah, A., Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Alger : Université des sciences et de la technologie Houari Boumediene, 1985 |
| Format : | 78 f. / ill. / 30 cm. |
| Note générale : |
Mémoire de Magistère: Sciences Génie Chimique: Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne: 1985.
Bibliogr.: 79 - 82 f. |
| Langues: | Français |
| Index. décimale : | 660.284 (Génie chimique et technologies connexes : Opérations unitaires et procédés unitaires ) |
| Mots-clés: | Chalcopyrite ; Radiocristallographie ; Cristallographie ; Composés semiconducteurs |
| Résumé : |
Notre étude portera principalement sur les propriétés électriques d'une des principales familles des composés ternaires de structure chalcopyrite de formule générale II-IV-V2 qui sont des semi-conducteurs.
Dans la famille II-IV-V2, nous avons porté un grand intérêt au composé Cd GeAs, qui est un représentant typique. En effet il est un candidat potentiellement important pour les applications en optique non linéaire. Nous avons jugé utile de scinder cette étude en trois parties: - La première partie est consacrée à une étude théorique de la structure chalcopyrite. - La deuxième partie est basée essentiellement sur une étude pour l'amélioration des conditions de cristallogénèse pour obtenir des cristaux massifs et de meilleure qualité optique. - La troisième partie est consacrée à l'étude des propriétés électriques (Effet Hall, conductivité, mobilité et l'effet Seebeck) du composé Cd Ge As2. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| E4.33060.00/1 | E4.33060.00 | Thèses | B. Magasin des Thèses et PFE | Thèses étrangères | Consultation sur place Exclu du prêt |
